サムスンがHBM生産を3倍に——AIチップ戦争の最前線

AIの「頭脳」を動かすメモリが、今年だけで3倍になろうとしている。

サムスン電子は2026年3月17日（韓国時間）、米カリフォルニアで開催中のNvidia GTC 2026において、高帯域幅メモリ（HBM）の生産量を2025年比で3倍に引き上げる計画を正式に表明しました。同社のメモリ開発責任者である黄相俊（ファン・サンジュン）氏は、「HBM4が自社HBM生産全体の半分以上を占めることを目指す」と述べ、増産の実現可能性に自信を示しました。

何が発表されたのか——数字で読む今回の発表

今回の発表で最も注目を集めたのは、第7世代HBMであるHBM4Eの物理サンプルの初公開です。このチップは、ピンあたり16ギガビット/秒の転送速度と、4.0テラバイト/秒の帯域幅を実現する見込みで、前世代のHBM4（13Gbps / 3.3TB/s）から大幅な性能向上が図られています。

さらに黄氏は、HBM5を含む次世代製品が2ナノメートルプロセスで製造される方向性を示唆しました。現行のHBM4およびHBM4Eが4ナノメートルプロセスを採用していることと比べると、製造技術の進化の速さが際立ちます。

技術面での発表はメモリに留まりません。サムスン電子はハイブリッド銅ボンディング（HCB）技術も披露しました。この技術は16層以上の積層を可能にしながら、従来の熱圧着ボンディング（TCB）比で熱抵抗を20%低減するものです。AIチップの発熱が深刻な課題となっている現在、この冷却効率の改善は見落とせない要素です。

NvidiaとのパートナーシップがFoundryにまで拡大

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今回のGTCで、もう一つ重要な事実が明らかになりました。NvidiaのCEOであるジェンスン・フアン氏が基調講演の中で、「サムスンがGroq 3 LPU（言語処理ユニット）チップを製造してくれている。本当に感謝している」と公言したのです。

この一言が意味するのは、両社の協力関係がHBMという「メモリ」の領域を超え、サムスンのファウンドリ（受託製造）事業にまで拡大したということです。サムスンにとって、NvidiaのVera RubinプラットフォームへのHBM4の商用出荷を先月開始したばかりのタイミングで、ファウンドリ案件まで公式に確認されたことは、関係の深化を示す明確なシグナルと言えます。

背景として押さえておきたいのは、サムスン電子がHBM市場で一時期SK Hynixに遅れを取ったという経緯です。SK HynixはHBM3EでNvidiaの主要サプライヤーとしての地位を確立しており、サムスンは品質問題への対応を経て、ようやく本格的な巻き返しを図っている段階です。今回の3倍増産宣言は、その文脈で読む必要があります。

日本の産業界にとって何を意味するか

この動きを「韓国企業のニュース」として距離を置いて見ることは、日本の産業関係者にとってリスクになりえます。

まず、ソニーやキオクシア、ルネサスエレクトロニクスといった日本の半導体関連企業は、AI向けメモリの技術競争が加速する中で、自社のポジショニングを問い直す局面に入っています。HBMの主戦場は現在、サムスン・SK Hynix・マイクロンの3社で構成されており、日本企業の存在感は限定的です。

一方で、HBMの製造には高純度の化学材料や精密な製造装置が不可欠であり、信越化学工業、JSR、東京エレクトロンなどの日本企業がサプライチェーンの重要な位置を占めています。サムスンの増産は、こうした日本のサプライヤーにとって需要増加のシグナルでもあります。

また、日本国内でのAIデータセンター投資が加速している文脈も見逃せません。ソフトバンクが米国のAIインフラへの大規模投資を表明し、国内でも各社がAI基盤の整備を急ぐ中、HBMの供給安定と価格動向は、日本のAI産業全体のコスト構造に直結します。