中国のPOWER-750Hイオン注入装置 2026：半導体製造の「ボトルネック」を解消か
中国原子能科学研究院が最新のイオン注入装置「POWER-750H」を開発。2026年の中国半導体自給率向上に向けた、ボトルネック解消の鍵となる世界水準の技術について解説します。
米国の規制という高い壁を、原子力の技術で突破しようとしています。中国の核科学者たちが、チップ製造に欠かせない世界レベルの「ミクロのメス」を開発しました。
中国のPOWER-750Hイオン注入装置 2026：国産化への大きな一歩
ロイターなどの報道によれば、中国原子能科学研究院（CIAE）は、2026年1月17日（土曜日）、中国初となる高エネルギー水素イオン注入装置「POWER-750H」の開発に成功したと発表しました。この装置は、世界の最先端基準に匹敵する性能を備えているとされています。イオン注入装置とは、半導体基板に不純物を精密に打ち込み、電気的な特性を与えるための非常に重要な設備です。
サプライチェーンの「ボトルネック」を解消する技術
これまで中国は、高度な半導体製造装置の多くを海外からの輸入に頼ってきました。しかし、今回の「POWER-750H」の登場により、主要なサプライチェーンにおける技術的な停滞、いわゆる「ボトルネック」が解消される可能性が出てきました。この装置は「ミクロのメス」とも呼ばれ、微細な回路形成において極めて高い精度を誇ります。
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