三星宣布HBM產量翻三倍，AI記憶體戰爭進入新階段

AI的「記憶」正在以三倍的速度擴張——而決定這場擴張節奏的，是一家韓國公司。

三星電子於2026年3月17日（韓國時間）在美國加州舉行的Nvidia GTC 2026上宣布，今年的高頻寬記憶體（HBM）產量將較2025年增加三倍。同時，三星首次公開展示了第七代HBM——HBM4E的實體樣品，標誌著AI記憶體競賽正式進入新的技術世代。

發生了什麼——數字背後的技術躍升

三星電子記憶體開發負責人黃相俊在GTC現場向媒體表示：「我們的目標是讓HBM4佔公司HBM總產量的一半以上。」他同時指出，在當前「輕微供應短缺」的市場環境下，集中供應高端產品對整個產業更有利。

技術層面，此次亮相的HBM4E預計將實現每針腳16 Gbps的傳輸速度，以及4.0 TB/s的記憶體頻寬，相較於HBM4的13 Gbps / 3.3 TB/s有顯著提升。黃相俊更進一步暗示，包括HBM5在內的下一代產品將採用2奈米製程，而現行HBM4和HBM4E使用的是4奈米製程。

此外，三星還展示了混合銅接合（HCB）封裝技術，可支援16層以上的堆疊，同時將熱阻降低20%。這項技術直接回應了AI晶片散熱問題日益嚴峻的現實。

不只是記憶體——Nvidia公開確認三星代工合作

廣告

廣告合作

[email protected]

廣告

這次GTC還揭露了一個更具戰略意涵的訊息。Nvidia CEO 黃仁勳在主題演講中公開表示：「我要感謝三星為我們製造Groq 3 LPU晶片，他們正在全力衝刺，我真的非常感激。」

這句話的意義不容小覷。它公開確認了三星晶圓代工部門正在為Nvidia生產語言處理單元（LPU），意味著兩家公司的合作已從HBM記憶體延伸至代工製造領域。對於三星而言，這是在與台積電的代工競爭中，取得一張重要背書的時刻。

值得注意的背景是：三星在HBM市場曾一度落後於競爭對手SK海力士。後者憑藉HBM3E確立了在Nvidia供應鏈中的核心地位，而三星在歷經品質問題的調整期後，正透過HBM4的商用出貨（上個月剛開始）展開反攻。此次三倍增產宣言，是這場追趕戰的最新章節。

對華人世界意味著什麼

這場發生在加州舞台上的韓美科技合作，對華人世界的影響是多層次的。

首先是台灣的視角。台積電作為全球最先進的晶圓代工廠，長期是Nvidia最重要的製造夥伴。三星代工業務的擴張，直接構成競爭壓力。然而，台積電在先進製程的技術領先優勢仍相當顯著，短期內難以撼動。更值得關注的問題是：台積電在HBM相關封裝技術上的佈局，是否足以應對三星整合記憶體與代工的「一站式」策略？

其次是供應鏈的地緣政治維度。美國對中國大陸的半導體出口管制持續收緊，中國本土的HBM研發雖在推進，但與三星、SK海力士之間仍存在顯著的技術差距。三星的增產計劃主要服務於Nvidia的AI平台，而Nvidia的高端GPU在中國市場的銷售受到嚴格限制。這意味著，這波AI記憶體的產能擴張，在相當程度上繞開了中國大陸市場。

對於東南亞的華人科技投資者而言，HBM供應鏈的擴張帶來的是更直接的機遇訊號——從上游的化學材料、精密設備，到下游的AI應用基礎設施，整條鏈條都在快速升溫。