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半導體晶圓被藍色液態氮冷卻波包圍並發出雷達波的示意圖
TechAI分析

中國氮化鎵雷達技術突破:2026年超冷卻技術帶動40%性能躍升

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中國科學家成功研發半導體超冷卻技術,使氮化鎵雷達系統性能提升40%。此突破將強化匿蹤戰機與衛星通訊能力,引發全球科技界關注。深入了解2026年中國在先進半導體領域的佈局。

雷達性能提升40%的秘密,隱藏在「冷卻」技術之中。中國科學家近期在半導體冷卻領域取得翻天覆地的突破,成功解決了高功率晶片的散熱瓶頸。這項進展不僅強化了國防實力,更為下一代通訊技術奠定基石。

中國 氮化鎵 雷達 2026:突破物理極限的冷卻創新

根據研究報告,這項新技術針對氮化鎵(GaN)基底的半導體進行了優化。在處理X波段Ka波段等關鍵高頻訊號時,晶片往往會產生極高熱量,導致性能大幅衰減。中國團隊開發的「超冷卻」方案,能使晶片在承受極端電力負載的情況下保持穩定,直接驅動系統效能激增。

指標傳統技術超冷卻技術
散熱效率標準大幅提升
雷達探測距離基準增加 40%
適用波段受限X/Ka 全波段

匿蹤戰機與衛星網路的技術支柱

這項技術對於中國的先進匿蹤戰機而言至關重要。更高效的冷卻意味著雷達可以長時間保持高功率掃描,顯著提升發現敵方目標的機率。此外,在衛星通訊與次世代無線計算網路中,更低的操作溫度也意味著更低的能耗與更高的數據傳輸頻寬。

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