東京エレクトロン、AIメモリ需要の「スーパーサイクル」到来に合わせ過去最大の研究開発投資を断行
東京エレクトロンは2026年に向け、AIサーバー向けメモリ需要の急増に応えるため、過去最大規模の研究開発投資を断行します。HBM対応の蝕刻装置を中心に、次世代1nm技術の主導権を狙います。
AI半導体の爆発的な進化が、メモリ市場に空前の「スーパーサイクル」を呼び込んでいます。日本を代表する半導体製造装置メーカー、東京エレクトロン(TEL)は、データセンター向けチップの需要急増に応えるため、2026年に向けて研究開発と設備投資を過去最高水準に引き上げる方針を固めました。
東京エレクトロンがAIメモリ需要で見据える「スーパーサイクル」の勝機
日本経済新聞の報道によると、東京エレクトロンはAIサーバーに欠かせない高付加価値メモリ、特にHBM(高帯域幅メモリ)の増産を支える「蝕刻(エッチング)装置」の需要が大幅に伸びると予測しています。AIモデルの巨大化に伴い、より高速で大容量なメモリが求められており、これが業界全体を押し上げる強力な追い風となっています。
同社は次世代の1ナノメートルチップ製造を見据えた新しい研究開発センターを完成させ、技術的優位性を確保しようとしています。また、日本国内と同水準まで米国市場での生産能力を引き上げる計画も進行中であり、地政学的なリスク分散と供給網の強化を同時に進める構えです。
今後の成長戦略と市場の評価
市場関係者は、今回の投資拡大が同社の収益性をさらに高めると見ています。特にAI向けメモリの価格高騰は、製造装置メーカーにとって過去最高益を更新するための強力なエンジンとなる可能性が高いからです。
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