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青く光る半導体チップの表面に氷の結晶が形成されているイメージ
TechAI分析

中国が半導体冷却の壁を突破:レーダー性能40%向上を実現する2026年の新技術

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中国の研究チームが半導体の熱問題を解決する「超冷却技術」を開発。窒化ガリウム(GaN)レーダーの性能を40%向上させ、ステルス機や衛星通信の能力を大幅に引き上げます。2026年の半導体技術の最前線を詳しく解説。

レーダーの性能が一気に40%向上します。中国の研究チームが、半導体デバイスの熱問題を解決する革新的な「超冷却技術」を開発しました。これは、現代の電子戦や通信インフラの常識を塗り替える可能性を秘めています。

中国 半導体 レーダー 技術 2026:熱の壁を打破する冷却革命

サウスチャイナ・モーニング・ポストの報道によると、中国の科学者たちは、窒化ガリウム(GaN)ベースの半導体において、動作温度を劇的に下げる新手法を確立しました。これまで高出力レーダーの最大の敵は「熱」でした。出力を上げれば熱が発生し、チップが損傷するため、性能に限界があったのです。しかし、今回の技術により、過酷な負荷がかかるXバンドKaバンドといった高周波帯域でも、安定して高いパフォーマンスを発揮できるようになります。

ステルス機から衛星通信まで広がる戦略的価値

この冷却技術の恩恵を最も受けるのは、中国の最新鋭ステルス戦闘機に搭載されるアクティブ・フェーズドアレイ・レーダー(AESA)です。出力が40%向上するということは、より遠くの目標を、より精密に捉えられることを意味します。また、この技術は防衛分野にとどまらず、次世代のワイヤレスネットワークや衛星通信の効率化にも直結すると見られています。

本コンテンツはAIが原文記事を基に要約・分析したものです。正確性に努めていますが、誤りがある可能性があります。原文の確認をお勧めします。

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